MJD31CRLG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 26.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CRLG onsemi
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD31CRLG за ціною від 22.34 грн до 110.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31CRLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD31CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31CRLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD31CRLG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31CRLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJD31CRLG | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
MJD31CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJD31CRLG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |