Технічний опис MJD31CT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD31CT4 за ціною від 11.43 грн до 99.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD31CT4 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 4514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJD31CT4 | ON-Semiconductor |
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STMкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.43 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.27 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.27 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.17 грн |
| 7+ | 66.64 грн |
| 10+ | 57.50 грн |
| 100+ | 34.90 грн |
| 500+ | 26.67 грн |
| 1000+ | 24.35 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 93.43 грн |
| 14+ | 58.79 грн |
| 100+ | 38.90 грн |
| 500+ | 28.27 грн |
| 1000+ | 22.30 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.53 грн |
| 10+ | 57.66 грн |
| 100+ | 38.15 грн |
| 500+ | 27.94 грн |
| 1000+ | 25.41 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.06 грн |
| 10+ | 61.45 грн |
| 100+ | 35.41 грн |
| 500+ | 27.61 грн |
| 1000+ | 25.13 грн |
| 2500+ | 22.02 грн |
| 5000+ | 19.26 грн |
| MJD31CT4 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
кількість в упаковці: 100 шт
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.73 грн |







