Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD31CT4
MJD31CT4

MJD31CT4 STMicroelectronics

cd0000083.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD31CT4 за ціною від 18.74 грн до 97.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.40 грн
5000+32.76 грн
7500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.40 грн
5000+40.76 грн
7500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31ct4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.82 грн
7+67.11 грн
10+57.91 грн
100+35.14 грн
500+26.86 грн
1000+24.52 грн
2500+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.42 грн
100+39.30 грн
500+28.79 грн
1000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 MJD31CT4 STMICROELECTRONICS 2307323.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 ON-Semiconductor mjd31c.html Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.40 грн
5000+32.76 грн
7500+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.40 грн
5000+40.76 грн
7500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 mjd31ct4-a.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.82 грн
7+67.11 грн
10+57.91 грн
100+35.14 грн
500+26.86 грн
1000+24.52 грн
2500+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+59.42 грн
100+39.30 грн
500+28.79 грн
1000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 2307323.pdf
MJD31CT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4 mjd31c.html
Виробник: ON-Semiconductor
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.