Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD31CT4G

MJD31CT4G ON Semiconductor

Name: MJD31CT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 207619-7
Price: 35500.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 147500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 10.96 грн до 67.15 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	15.52 грн
5000+	14.49 грн
7500+	14.10 грн
12500+	13.46 грн
17500+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	15.63 грн
5000+	13.81 грн
7500+	13.17 грн
12500+	11.70 грн
17500+	11.30 грн
25000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.03 грн
5000+	15.76 грн
7500+	15.67 грн
10000+	14.92 грн
25000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.15 грн
5000+	14.84 грн
7500+	14.35 грн
12500+	13.70 грн
17500+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.63 грн
5000+	15.53 грн
7500+	15.12 грн
12500+	14.43 грн
17500+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	17.30 грн
5000+	15.90 грн
7500+	15.38 грн
12500+	14.68 грн
17500+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	27.56 грн
500+	21.13 грн
1000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 14962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	61.44 грн
11+	35.12 грн
100+	21.66 грн
500+	17.84 грн
1000+	15.31 грн
2500+	12.94 грн
5000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 32255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	63.76 грн
10+	38.04 грн
100+	24.66 грн
500+	17.74 грн
1000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	67.15 грн
50+	38.99 грн
100+	27.56 грн
500+	21.13 грн
1000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON-Semicoductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MJD31CT4G

Виробник : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.