Продукція > ONSEMI > MJD31CT4G
MJD31CT4G

MJD31CT4G ONSEMI

ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+14.01 грн
7500+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 12.84 грн до 72.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD31CT4G MJD31CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.54 грн
5000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.55 грн
5000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.55 грн
5000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.42 грн
500+16.38 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.23 грн
1000+20.90 грн
2500+20.48 грн
5000+19.25 грн
7500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.81 грн
50+33.59 грн
100+21.42 грн
500+16.38 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.31 грн
500+17.50 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 30703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+39.93 грн
100+22.57 грн
500+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.63 грн
17+44.54 грн
25+43.72 грн
100+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G ONSEMI mjd31-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.85 грн
12+36.48 грн
20+30.33 грн
50+24.10 грн
100+20.61 грн
200+18.12 грн
500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+14.54 грн
5000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.55 грн
5000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.55 грн
5000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.42 грн
500+16.38 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
403+35.23 грн
1000+20.90 грн
2500+20.48 грн
5000+19.25 грн
7500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.81 грн
50+33.59 грн
100+21.42 грн
500+16.38 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.31 грн
500+17.50 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 30703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.08 грн
10+39.93 грн
100+22.57 грн
500+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+72.63 грн
17+44.54 грн
25+43.72 грн
100+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31d.pdf
MJD31CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G mjd31-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+60.85 грн
12+36.48 грн
20+30.33 грн
50+24.10 грн
100+20.61 грн
200+18.12 грн
500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.