Продукція > ONSEMI > MJD31CT4G
MJD31CT4G

MJD31CT4G onsemi

mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.60 грн
5000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 10.76 грн до 71.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.93 грн
5000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.14 грн
5000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.73 грн
7500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
563+23.00 грн
1000+20.88 грн
2500+19.64 грн
5000+18.08 грн
7500+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.52 грн
500+19.08 грн
1000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.36 грн
10+32.87 грн
100+18.24 грн
500+15.02 грн
1000+13.77 грн
2500+11.81 грн
5000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 56439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.89 грн
10+37.63 грн
100+24.42 грн
500+17.57 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.08 грн
50+38.64 грн
100+25.52 грн
500+19.08 грн
1000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.02 грн
17+43.55 грн
25+42.74 грн
100+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.45 грн
13+34.40 грн
50+25.15 грн
100+21.95 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : On Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor MJD31-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.