Продукція > ONSEMI > MJD31CT4G
MJD31CT4G

MJD31CT4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.47 грн
5000+12.78 грн
7500+12.20 грн
12500+10.83 грн
17500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 10.74 грн до 70.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.89 грн
5000+15.37 грн
7500+14.95 грн
12500+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.10 грн
5000+16.47 грн
7500+16.01 грн
12500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
563+22.95 грн
1000+20.83 грн
2500+19.59 грн
5000+18.04 грн
7500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.11 грн
500+20.02 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.23 грн
10+32.79 грн
100+18.20 грн
500+14.99 грн
1000+13.74 грн
2500+11.78 грн
5000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 24710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.83 грн
10+35.20 грн
100+22.83 грн
500+16.43 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.61 грн
50+36.93 грн
100+26.11 грн
500+20.02 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+70.86 грн
17+43.45 грн
25+42.64 грн
100+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.33 грн
13+34.33 грн
50+25.09 грн
100+21.90 грн
500+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.