MJD31CT4G

MJD31CT4G ON Semiconductor


mjd31-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD31CT4G за ціною від 11.14 грн до 70.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.88 грн
5000+14.83 грн
7500+14.44 грн
12500+13.78 грн
17500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.89 грн
5000+14.04 грн
7500+13.40 грн
12500+11.89 грн
17500+11.49 грн
25000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.41 грн
5000+16.14 грн
7500+16.04 грн
10000+15.28 грн
25000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.53 грн
5000+15.19 грн
7500+14.69 грн
12500+14.03 грн
17500+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.02 грн
5000+15.89 грн
7500+15.48 грн
12500+14.78 грн
17500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.71 грн
5000+16.28 грн
7500+15.74 грн
12500+15.03 грн
17500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.55 грн
500+21.89 грн
1000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.64 грн
11+36.38 грн
100+22.44 грн
500+18.47 грн
1000+15.86 грн
2500+13.40 грн
5000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 27810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.32 грн
10+38.65 грн
100+25.07 грн
500+18.04 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.55 грн
50+40.38 грн
100+28.55 грн
500+21.89 грн
1000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ON-Semiconductor mjd31-d.pdf Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G Виробник : ONSEMI mjd31-d.pdf MJD31CT4G NPN SMD transistors
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.98 грн
56+21.11 грн
154+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4G MJD31CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.