Продукція > ONSEMI > MJD31CT4GN

MJD31CT4GN onsemi

Name: MJD31CT4GN
Brand: onsemi
SKU: 42458847-4
Price: 412.85 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

на замовлення 1912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	82.57 грн
10+	50.29 грн
100+	28.65 грн
500+	22.17 грн
1000+	20.72 грн
2500+	17.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4GN onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD31CT4GN

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	MJD31CT4GN	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	MJD31CT4GN	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.