MJD31CT4GN onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.91 грн |
| 10+ | 46.35 грн |
| 100+ | 30.36 грн |
| 500+ | 22.02 грн |
| 1000+ | 19.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CT4GN onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції MJD31CT4GN за ціною від 15.15 грн до 79.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31CT4GN | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR |
на замовлення 2374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MJD31CT4GN |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.93 грн |
| 10+ | 49.44 грн |
| 100+ | 28.19 грн |
| 500+ | 21.78 грн |
| 1000+ | 19.74 грн |
| 2500+ | 16.42 грн |
| 5000+ | 15.15 грн |