Продукція > ONSEMI > MJD31CT4GN
MJD31CT4GN

MJD31CT4GN onsemi

MJD31-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.44 грн
12+26.06 грн
25+23.39 грн
100+19.11 грн
250+17.76 грн
500+16.95 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CT4GN onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD31CT4GN за ціною від 14.36 грн до 74.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CT4GN MJD31CT4GN Виробник : onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.84 грн
10+46.10 грн
100+26.29 грн
500+20.36 грн
1000+18.41 грн
2500+16.25 грн
5000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GN MJD31CT4GN Виробник : onsemi MJD31-D.PDF Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.