MJD31T4G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 16.81 грн |
| 46+ | 16.55 грн |
| 47+ | 16.27 грн |
| 100+ | 15.44 грн |
| 250+ | 14.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31T4G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN.
Інші пропозиції MJD31T4G за ціною від 22.70 грн до 116.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD31T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD31T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD31T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAKVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD31T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD31T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD31T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 751+ | 47.10 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 751+ | 47.10 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.80 грн |
| 10+ | 68.34 грн |
| 100+ | 45.58 грн |
| 500+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 30.64 грн |
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.77 грн |
| 10+ | 73.19 грн |
| 100+ | 38.91 грн |
| 500+ | 33.20 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| 2500+ | 22.70 грн |
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD31T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





