MJD32C-13 Diodes Incorporated


ds31624.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+41.74 грн
25+34.90 грн
50+28.77 грн
100+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32C-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W.

Інші пропозиції MJD32C-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD32C-13 MJD32C-13 Diodes Incorporated ds31624.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13 ds31624.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.