MJD32C1 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 18.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32C1 ONSEMI
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W.
Інші пропозиції MJD32C1 за ціною від 21.54 грн до 22.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD32C1 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| MJD32C1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MJD32C1 |
|
на замовлення 17070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |