Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32C
- TRANSISTOR, PNP D-PAK
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
- SVHC:No SVHC
- Case Style:TO-252 (D-Pak)
- Current Ic hFE:1A
- External Depth:10.28mm
- External Length / Height:2.38mm
- External Width:6.73mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:3A
- Max Current Ic Continuous a:3A
- Max Power Dissipation Ptot:15W
- Min Gain Bandwidth ft:3MHz
- Min Hfe:10
- No. of Transistors:1
- SMD Marking:MJD32C
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Power General Purpose
- Voltage Vcbo:100V
Інші пропозиції MJD32C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD32C | Виробник : FAIRCHILD |
 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MJD32C | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
товару немає в наявності |
|
 |
MJD32C | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP |
товару немає в наявності |
|
|
|
MJD32C | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A |
товару немає в наявності |