MJD32CG
Код товару: 117659
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD32CG за ціною від 16.46 грн до 77.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 10023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD32CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD32CG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP |
на замовлення 4069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD32CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 376+ | 37.60 грн |
| 525+ | 33.27 грн |
| 1050+ | 32.60 грн |
| 2550+ | 29.35 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 38.41 грн |
| 150+ | 38.03 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 287+ | 49.32 грн |
| 413+ | 34.17 грн |
| 418+ | 33.82 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.40 грн |
| 75+ | 34.24 грн |
| 150+ | 33.89 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 57.59 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 74.80 грн |
| 13+ | 33.05 грн |
| 25+ | 29.54 грн |
| 75+ | 26.02 грн |
| 375+ | 24.02 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.42 грн |
| 75+ | 32.47 грн |
| 150+ | 28.90 грн |
| 525+ | 22.35 грн |
| 1050+ | 20.28 грн |
| 2025+ | 18.63 грн |
| 5025+ | 16.46 грн |
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD32CG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







