
MJD32CG ON Semiconductor
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 20.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD32CG за ціною від 16.61 грн до 72.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 10...50 Frequency: 3MHz |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 10...50 Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 16863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
MJD32CG Код товару: 117659
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|