MJD32CJ Nexperia USA Inc.
                                                Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 13.12 грн | 
| 5000+ | 11.51 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025). 
Інші пропозиції MJD32CJ за ціною від 14.37 грн до 69.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        MJD32CJ | Виробник : Nexperia | 
            
                         Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R         | 
        
                             на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
                      | 
        MJD32CJ | Виробник : Nexperia | 
            
                         Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.         | 
        
                             на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
                      | 
        MJD32CJ | Виробник : Nexperia USA Inc. | 
            
                         Description: TRANS PNP 100V 3A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W  | 
        
                             на замовлення 6683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
                      | 
        MJD32CJ | Виробник : NEXPERIA | 
            
                         Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025)  | 
        
                             на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
                      | 
        MJD32CJ | Виробник : NEXPERIA | 
            
                         Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025)  | 
        
                             на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||
| MJD32CJ | Виробник : NXP | 
            
                         Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJкількість в упаковці: 10 шт  | 
        
                             на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||||||
| 
             | 
        MJD32CJ | Виробник : NEXPERIA | 
            
                         100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        


