MJD32CJ

MJD32CJ Nexperia USA Inc.


MJD32C.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.12 грн
5000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD32CJ за ціною від 14.37 грн до 69.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : Nexperia mjd32c.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1347+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1347
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : Nexperia MJD32C.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.17 грн
12+29.44 грн
100+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD32C.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.04 грн
10+33.25 грн
50+24.24 грн
100+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : NEXPERIA 3228230.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : NEXPERIA 3228230.pdf Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ Виробник : NXP MJD32C.pdf Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJ MJD32CJ Виробник : NEXPERIA mjd32c.pdf 100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.