MJD32CQ-13 Diodes Inc
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 12.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CQ-13 Diodes Inc
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MJD32CQ-13 за ціною від 12.35 грн до 95.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD32CQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MJD32CQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Quantity in set/package: 2500pcs. |
товару немає в наявності |