MJD32CRLG ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 27.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CRLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD32, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD32CRLG за ціною від 20.79 грн до 115.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD32CRLG | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 3A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 55800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CRLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 57461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CRLG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD32CRLG |
|
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MJD32CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD32CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD32CRLG | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |