MJD32CRLG onsemi


mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+25.62 грн
3600+22.77 грн
5400+21.80 грн
9000+19.44 грн
12600+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CRLG onsemi

Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD32, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD32CRLG за ціною від 27.38 грн до 111.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.19 грн
25+35.62 грн
100+33.80 грн
250+30.79 грн
500+29.08 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.19 грн
395+35.62 грн
401+35.06 грн
408+33.25 грн
500+30.29 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 51560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.37 грн
10+56.18 грн
100+37.30 грн
500+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.57 грн
10+76.86 грн
100+53.88 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.13 грн
182+77.24 грн
260+54.15 грн
500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.19 грн
25+35.62 грн
100+33.80 грн
250+30.79 грн
500+29.08 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
389+36.19 грн
395+35.62 грн
401+35.06 грн
408+33.25 грн
500+30.29 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 51560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.37 грн
10+56.18 грн
100+37.30 грн
500+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.57 грн
10+76.86 грн
100+53.88 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+111.13 грн
182+77.24 грн
260+54.15 грн
500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG 2236997.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG 2236997.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.