Продукція > ONSEMI > MJD32CRLG
MJD32CRLG

MJD32CRLG onsemi

mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+26.39 грн
3600+23.45 грн
5400+22.46 грн
9000+20.02 грн
12600+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CRLG onsemi

Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD32, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD32CRLG за ціною від 22.62 грн до 111.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.19 грн
433+32.72 грн
439+32.25 грн
500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.41 грн
25+35.84 грн
100+34.02 грн
250+31.00 грн
500+29.28 грн
1000+28.80 грн
3000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.41 грн
395+35.84 грн
401+35.28 грн
408+33.48 грн
500+30.50 грн
1000+28.80 грн
3000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.57 грн
500+33.21 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 51560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+57.88 грн
100+38.42 грн
500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.32 грн
10+60.79 грн
100+35.45 грн
500+27.77 грн
1800+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD32CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.83 грн
13+64.88 грн
100+44.57 грн
500+33.21 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
427+33.19 грн
433+32.72 грн
439+32.25 грн
500+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+36.41 грн
25+35.84 грн
100+34.02 грн
250+31.00 грн
500+29.28 грн
1000+28.80 грн
3000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31d.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
389+36.41 грн
395+35.84 грн
401+35.28 грн
408+33.48 грн
500+30.50 грн
1000+28.80 грн
3000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG 2236997.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.57 грн
500+33.21 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
MJD32CRLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 51560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.15 грн
10+57.88 грн
100+38.42 грн
500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG MJD31-D.PDF
MJD32CRLG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.32 грн
10+60.79 грн
100+35.45 грн
500+27.77 грн
1800+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG 2236997.pdf
MJD32CRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.83 грн
13+64.88 грн
100+44.57 грн
500+33.21 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG mjd31-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.