MJD32CT4 STMicroelectronics
на замовлення 130010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 8.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD32CT4 за ціною від 7.73 грн до 81.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 207500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 207500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 5173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 6523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD32CT4 Код товару: 113107
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD32CT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |