Продукція > ONSEMI > MJD32CT4G
MJD32CT4G

MJD32CT4G onsemi

mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD32CT4G за ціною від 17.84 грн до 69.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.50 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.50 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.77 грн
500+21.27 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+32.01 грн
534+26.50 грн
539+26.24 грн
589+23.17 грн
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.13 грн
24+32.33 грн
25+32.01 грн
100+25.56 грн
250+23.43 грн
500+20.59 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.30 грн
1000+33.86 грн
2500+32.80 грн
5000+29.95 грн
7500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.69 грн
50+42.35 грн
100+28.77 грн
500+21.27 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.74 грн
10+42.62 грн
100+25.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.74 грн
10+42.01 грн
100+27.37 грн
500+19.79 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.50 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.50 грн
5000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G 2236997.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+28.77 грн
500+21.27 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
442+32.01 грн
534+26.50 грн
539+26.24 грн
589+23.17 грн
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+38.13 грн
24+32.33 грн
25+32.01 грн
100+25.56 грн
250+23.43 грн
500+20.59 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
276+51.30 грн
1000+33.86 грн
2500+32.80 грн
5000+29.95 грн
7500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G 2236997.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+64.69 грн
50+42.35 грн
100+28.77 грн
500+21.27 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.74 грн
10+42.62 грн
100+25.35 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.74 грн
10+42.01 грн
100+27.37 грн
500+19.79 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.