Продукція > ONSEMI > MJD32CT4G
MJD32CT4G

MJD32CT4G onsemi

mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD32CT4G за ціною від 18.06 грн до 70.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+31.94 грн
534+26.45 грн
539+26.18 грн
589+23.12 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+35.17 грн
1000+24.47 грн
2500+23.76 грн
5000+22.39 грн
7500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.05 грн
24+32.26 грн
25+31.94 грн
100+25.50 грн
250+23.38 грн
500+20.55 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.39 грн
10+42.40 грн
100+27.62 грн
500+19.98 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.45 грн
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.45 грн
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
442+31.94 грн
534+26.45 грн
539+26.18 грн
589+23.12 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
402+35.17 грн
1000+24.47 грн
2500+23.76 грн
5000+22.39 грн
7500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.05 грн
24+32.26 грн
25+31.94 грн
100+25.50 грн
250+23.38 грн
500+20.55 грн
1000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.39 грн
10+42.40 грн
100+27.62 грн
500+19.98 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G mjd31-d.pdf
MJD32CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G 2236997.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G 2236997.pdf
MJD32CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.