MJD32CT4G

MJD32CT4G ON Semiconductor


mjd31d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.58 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD32CT4G за ціною від 13.80 грн до 72.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.78 грн
5000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.82 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.04 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.28 грн
5000+16.19 грн
7500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.81 грн
5000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
391+31.22 грн
491+24.86 грн
496+24.61 грн
584+20.15 грн
1000+17.07 грн
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.11 грн
21+29.28 грн
25+28.99 грн
100+22.26 грн
250+20.41 грн
500+16.63 грн
1000+15.22 грн
3000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.93 грн
50+43.82 грн
100+29.71 грн
500+22.07 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 6497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.12 грн
10+44.25 грн
100+26.04 грн
500+20.53 грн
1000+18.54 грн
2500+15.38 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+43.76 грн
100+28.55 грн
500+20.65 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G MJD32CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G Виробник : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...50
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4G Виробник : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...50
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.