Продукція > ONSEMI > MJD32T4G
MJD32T4G

MJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.27 грн
5000+21.63 грн
7500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD32T4G за ціною від 24.56 грн до 91.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD32T4G MJD32T4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.25 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.25 грн
1000+41.73 грн
10000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.60 грн
10+55.59 грн
100+36.81 грн
500+26.99 грн
1000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G ONSEMI ONSM-S-A0001514680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G mjd31d.pdf
MJD32T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
777+45.25 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G mjd31d.pdf
MJD32T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
777+45.25 грн
1000+41.73 грн
10000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G mjd31-d.pdf
MJD32T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.60 грн
10+55.59 грн
100+36.81 грн
500+26.99 грн
1000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD31-D.PDF
MJD32T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G mjd31d.pdf
MJD32T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G ONSM-S-A0001514680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.