Продукція > ONSEMI > MJD32T4G
MJD32T4G

MJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD32T4G за ціною від 22.51 грн до 79.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
10+38.58 грн
100+27.15 грн
500+24.20 грн
1000+23.10 грн
2500+22.95 грн
5000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.58 грн
10+51.50 грн
100+35.70 грн
500+26.84 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0001514680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.