MJD340T4G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD340T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD340T4G за ціною від 12.07 грн до 62.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD340T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD340T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD340T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD340T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD340T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD340T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN |
на замовлення 45498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD340T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 2336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD340T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD340T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD340T4G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
MJD340T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD340T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.5A Power dissipation: 15W Current gain: 30...240 Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 10MHz Case: DPAK Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |