MJD340T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.95 грн |
| 5000+ | 13.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD340T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD340T4G за ціною від 14.40 грн до 64.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD340T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD340T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN |
на замовлення 46247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD340T4G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.40 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.22 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 456+ | 30.96 грн |
| 553+ | 25.56 грн |
| 591+ | 23.90 грн |
| 625+ | 21.78 грн |
| 1000+ | 16.17 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.81 грн |
| 25+ | 30.96 грн |
| 100+ | 24.65 грн |
| 250+ | 21.34 грн |
| 500+ | 19.36 грн |
| 1000+ | 15.52 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 379+ | 37.26 грн |
| 1000+ | 27.91 грн |
| 2500+ | 24.29 грн |
| 5000+ | 23.37 грн |
| 7500+ | 21.58 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.17 грн |
| 10+ | 38.42 грн |
| 100+ | 24.95 грн |
| 500+ | 17.98 грн |
| 1000+ | 16.22 грн |
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 46247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD340T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.40 грн |





