Продукція > DIODES INCORPORATED > MJD350-13
MJD350-13

MJD350-13 Diodes Incorporated

ds31608.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.24 грн
5000+12.58 грн
7500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD350-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJD350-13 за ціною від 14.58 грн до 57.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD350-13 MJD350-13 Diodes Zetex 187682756112759ds31608.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 MJD350-13 Diodes Incorporated ds31608.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.62 грн
100+22.47 грн
500+16.17 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 MJD350-13 Diodes Incorporated ds31608.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 MJD350-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 MJD350-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 187682756112759ds31608.pdf
MJD350-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 ds31608.pdf
MJD350-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+34.62 грн
100+22.47 грн
500+16.17 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 ds31608.pdf
MJD350-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 DIOD-S-A0004395471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD350-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13 DIOD-S-A0004395471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD350-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.