MJD350T4G (біполярний транзистор NPN) ON
Код товару: 37901
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT: 10 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD350T4G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 18.18 грн до 83.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD350T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 47615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD350T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP |
на замовлення 16218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
MJD350T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJD350T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.45 грн |
| 5000+ | 18.18 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.31 грн |
| 5000+ | 25.02 грн |
| 7500+ | 24.39 грн |
| 12500+ | 22.27 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.31 грн |
| 5000+ | 25.02 грн |
| 7500+ | 24.39 грн |
| 12500+ | 22.27 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.75 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 33.04 грн |
| 433+ | 32.71 грн |
| 490+ | 28.92 грн |
| 493+ | 27.68 грн |
| 512+ | 24.68 грн |
| 1000+ | 22.78 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.49 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.62 грн |
| 23+ | 33.04 грн |
| 25+ | 32.71 грн |
| 100+ | 27.89 грн |
| 250+ | 25.63 грн |
| 500+ | 23.69 грн |
| 1000+ | 22.78 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 47615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.69 грн |
| 10+ | 50.67 грн |
| 100+ | 33.33 грн |
| 500+ | 24.28 грн |
| 1000+ | 22.03 грн |
| MJD350T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
на замовлення 16218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD350T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD350T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)