MJD350T4GN onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD350T4GN onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції MJD350T4GN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD350T4GN | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor |
товару немає в наявності |