Продукція > NEXPERIA > MJD41C-QJ
MJD41C-QJ

MJD41C-QJ NEXPERIA

3388617.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.89 грн
500+44.78 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD41C-QJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD41C-QJ за ціною від 15.12 грн до 122.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD41C-QJ MJD41C-QJ Nexperia USA Inc. MJD41C-Q.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+36.16 грн
100+23.37 грн
500+16.78 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJ MJD41C-QJ Nexperia MJD41C-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
10+53.00 грн
100+29.75 грн
500+23.60 грн
1000+21.23 грн
2500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJ MJD41C-QJ NEXPERIA 3388617.pdf Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.20 грн
11+80.65 грн
100+51.89 грн
500+44.78 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJ MJD41C-Q.pdf
MJD41C-QJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+36.16 грн
100+23.37 грн
500+16.78 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJ MJD41C-Q.pdf
MJD41C-QJ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.91 грн
10+53.00 грн
100+29.75 грн
500+23.60 грн
1000+21.23 грн
2500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJ 3388617.pdf
MJD41C-QJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.20 грн
11+80.65 грн
100+51.89 грн
500+44.78 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.