MJD41CQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.46 грн |
| 5000+ | 17.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD41CQ-13 Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MJD41CQ-13 за ціною від 19.84 грн до 76.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD41CQ-13 | Diodes Zetex |
100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJD41CQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJD41CQ-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD41CQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.14 грн |
| MJD41CQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.89 грн |
| 10+ | 46.22 грн |
| 100+ | 30.22 грн |
| 500+ | 21.91 грн |
| 1000+ | 19.84 грн |
| MJD41CQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




