MJD41CT4G

MJD41CT4G ON Semiconductor


mjd41c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD41CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD41CT4G за ціною від 17.73 грн до 87.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.52 грн
5000+20.02 грн
7500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.24 грн
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ONSEMI 1842020.pdf Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.84 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+46.23 грн
286+42.66 грн
363+33.55 грн
382+30.75 грн
500+23.16 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.57 грн
15+42.96 грн
25+25.49 грн
100+24.33 грн
250+22.31 грн
500+20.65 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : onsemi MJD41C_D-2316115.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
на замовлення 15746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.31 грн
10+52.75 грн
100+31.70 грн
500+26.57 грн
1000+22.60 грн
2500+20.04 грн
5000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.72 грн
13+48.30 грн
100+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ONSEMI 1842020.pdf Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.29 грн
50+50.55 грн
100+33.84 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+52.67 грн
100+34.63 грн
500+25.23 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G mjd41c-d.pdf
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G MJD41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.