MJD41CT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.63 грн |
| 5000+ | 18.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD41CT4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD41CT4G за ціною від 18.32 грн до 86.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 7052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD41CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MJD41CT4G |
|
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJD41CT4G | Виробник : On Semiconductor |
TRANS NPN 100V 6A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| MJD41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |