MJD41CT4G ON Semiconductor
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 22.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD41CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD41CT4G за ціною від 19.88 грн до 95.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD41CT4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 100V 6A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD41CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN |
на замовлення 8753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 7052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD41CT4G |
|
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |