Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD42C1G за ціною від 25.19 грн до 70.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD42C1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD42C1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A IPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD42C1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD42C1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD42C1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |




