Продукція > ONSEMI > MJD42C1G
MJD42C1G

MJD42C1G ONSEMI

2353990.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD42C1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції MJD42C1G за ціною від 27.72 грн до 77.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD42C1G MJD42C1G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
541+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 541
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G MJD42C1G Виробник : ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
752+41.17 грн
1000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 752
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G MJD42C1G Виробник : onsemi MJD41C_D-2316115.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.87 грн
10+66.83 грн
75+40.17 грн
525+33.60 грн
1050+30.85 грн
1950+29.33 грн
5850+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G
Код товару: 170554
Додати до обраних Обраний товар

mjd41c-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G MJD42C1G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G MJD42C1G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.