
MJD42CG ON Semiconductor
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
451+ | 27.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42CG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD42CG за ціною від 23.17 грн до 107.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 7996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD42CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |