Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42CJ Nexperia
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 15W, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD42CJ за ціною від 10.96 грн до 75.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD42CJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 15W Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD42CJ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD42CJ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD42CJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD42CJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJD42CJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 15W
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 15W
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.12 грн |
| 500+ | 27.61 грн |
| MJD42CJ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 851+ | 41.68 грн |
| 1000+ | 38.44 грн |
| MJD42CJ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.28 грн |
| 10+ | 36.86 грн |
| 100+ | 20.81 грн |
| 500+ | 18.85 грн |
| 1000+ | 18.22 грн |
| 2500+ | 16.27 грн |
| 5000+ | 10.96 грн |
| MJD42CJ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.34 грн |
| 10+ | 40.47 грн |
| 50+ | 29.68 грн |
| 100+ | 24.56 грн |
| MJD42CJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 75.68 грн |
| 18+ | 47.33 грн |
| 100+ | 31.12 грн |
| 500+ | 27.61 грн |