на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 948+ | 32.66 грн |
| 1028+ | 30.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42CJ Nexperia
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD42CJ за ціною від 15.97 грн до 87.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD42CJ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD42CJ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD42CJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD42CJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJD42CJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD42CJ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
MJD42CJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJD42CJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
товару немає в наявності |