MJD42CRLG

MJD42CRLG ONSEMI


2353990.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.63 грн
500+34.29 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD42CRLG ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD42, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD42CRLG за ціною від 25.92 грн до 114.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 97348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+49.47 грн
1000+45.62 грн
10000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ONSEMI 2353990.pdf Description: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.52 грн
14+64.42 грн
100+47.63 грн
500+34.29 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : onsemi MJD41C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.57 грн
10+65.43 грн
100+42.00 грн
500+35.43 грн
1000+29.02 грн
1800+27.87 грн
3600+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.83 грн
10+70.00 грн
100+46.74 грн
500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG mjd41c-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG MJD42CRLG Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG Виробник : ONSEMI mjd41c-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.