MJD42CRLG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.10 грн |
| 500+ | 35.34 грн |
| 1000+ | 26.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42CRLG ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD42, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD42CRLG за ціною від 26.72 грн до 118.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD42CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 97348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CRLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD42 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CRLG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP |
на замовлення 3706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CRLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJD42CRLG |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MJD42CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD42CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD42CRLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD42CRLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |