Продукція > ONSEMI > MJD42CT4G
MJD42CT4G

MJD42CT4G onsemi

mjd41c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.40 грн
5000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD42CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD42CT4G за ціною від 17.52 грн до 88.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.31 грн
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.38 грн
5000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.24 грн
21+38.86 грн
25+38.47 грн
100+31.44 грн
250+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.73 грн
10+46.22 грн
100+30.26 грн
500+21.95 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+81.94 грн
10+51.05 грн
100+28.95 грн
500+23.16 грн
1000+21.01 грн
2500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.43 грн
14+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.31 грн
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.38 грн
5000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.24 грн
21+38.86 грн
25+38.47 грн
100+31.44 грн
250+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41c-d.pdf
MJD42CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.73 грн
10+46.22 грн
100+30.26 грн
500+21.95 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41c-d.pdf
MJD42CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.94 грн
10+51.05 грн
100+28.95 грн
500+23.16 грн
1000+21.01 грн
2500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.43 грн
14+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD42CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G mjd41cd.pdf
MJD42CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD42CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.