Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD42CT4G
MJD42CT4G

MJD42CT4G ON Semiconductor

mjd41c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD42CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD42CT4G за ціною від 14.80 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.52 грн
5000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.11 грн
5000+17.84 грн
7500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.03 грн
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
420+28.98 грн
483+25.20 грн
496+24.58 грн
548+21.44 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
993+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.55 грн
22+28.10 грн
25+26.91 грн
100+22.57 грн
250+20.38 грн
500+17.70 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.85 грн
500+24.85 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+33.35 грн
437+27.91 грн
504+24.18 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : onsemi MJD41C_D-1811456.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 18090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.31 грн
10+41.86 грн
100+26.79 грн
500+22.02 грн
1000+18.35 грн
2500+16.51 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.72 грн
18+48.41 грн
100+32.85 грн
500+24.85 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 11268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.39 грн
10+47.63 грн
100+31.18 грн
500+22.63 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4G MJD42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.