MJD42CT4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD42CT4G за ціною від 15.31 грн до 76.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP |
на замовлення 16205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD42CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD42CT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |