Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN)

MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN)

Код товару: 31169
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 22.48 грн до 105.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+62.54 грн
525+48.43 грн
1050+41.76 грн
2550+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.49 грн
75+36.00 грн
150+32.04 грн
525+24.78 грн
1050+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.68 грн
75+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 18343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+105.33 грн
10+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ONSEMI MJD44H11-D.PDF description Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+62.54 грн
525+48.43 грн
1050+41.76 грн
2550+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.49 грн
75+36.00 грн
150+32.04 грн
525+24.78 грн
1050+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.68 грн
75+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 18343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.33 грн
10+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.