Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN)

MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN)

Код товару: 31169
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 29.24 грн до 89.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.08 грн
525+34.30 грн
1050+31.13 грн
2550+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.13 грн
13+59.17 грн
75+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ONSEMI MJD44H11-D.PDF description Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G ONN mjd44h11-d.pdf description
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
382+37.08 грн
525+34.30 грн
1050+31.13 грн
2550+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.13 грн
13+59.17 грн
75+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.