MJD44H11-1G ON Semiconductor
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 388+ | 31.52 грн |
| 525+ | 28.93 грн |
| 1050+ | 28.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11-1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD44H11-1G за ціною від 18.47 грн до 85.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD44H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 20W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Übergangsfrequenz: 85MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 8A Produktpalette: -888 |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11-1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 14043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 31169
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
MJD44H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD44H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz |
товару немає в наявності |