Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD44H11-1G
MJD44H11-1G

MJD44H11-1G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
388+31.44 грн
525+28.86 грн
1050+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11-1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD44H11-1G за ціною від 18.96 грн до 84.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+45.85 грн
361+33.76 грн
385+31.65 грн
525+26.13 грн
1050+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.72 грн
75+32.31 грн
150+29.65 грн
525+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+49.38 грн
15+42.58 грн
25+31.34 грн
75+28.34 грн
525+22.47 грн
1050+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : onsemi MJD44H11_D-1811546.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.79 грн
10+76.75 грн
25+45.58 грн
75+31.77 грн
525+26.13 грн
1050+21.82 грн
4200+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 31169
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0B414FE9B0469&compId=MJD44H11-1G.PDF?ci_sign=a2f93a60957daff3e31450358651e4cb7694bcfc pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0B414FE9B0469&compId=MJD44H11-1G.PDF?ci_sign=a2f93a60957daff3e31450358651e4cb7694bcfc pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.