Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN)

MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN)


Код товару: 31169
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD44H11-1G (транзистор біполярный NPN) за ціною від 18.31 грн до 82.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.74 грн
75+31.63 грн
150+29.02 грн
525+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.40 грн
75+32.99 грн
150+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 11136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.34 грн
10+35.04 грн
75+27.04 грн
525+25.44 грн
1050+21.66 грн
2100+20.62 грн
4200+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G Виробник : ONN mjd44h11-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G Виробник : On Semiconductor mjd44h11-d.pdf TRANS NPN 80V 8A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Виробник : ONSEMI MJD44H11-1G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.