Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44H11G
MJD44H11G

MJD44H11G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 118488
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11G

  • TRANSISTOR, NPN, D-PAK
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:1.75W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:50MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Application Code:PGP
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • No. of Transistors:1
  • SMD Marking:MJD44H11
  • Voltage Vcbo:10V dc

Інші пропозиції MJD44H11G за ціною від 22.86 грн до 124.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+42.19 грн
150+42.13 грн
525+38.10 грн
1050+33.00 грн
2025+29.65 грн
5025+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 25100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.04 грн
75+53.72 грн
150+53.58 грн
525+43.84 грн
1050+34.13 грн
2025+31.27 грн
5025+27.80 грн
10050+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 24875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+61.26 грн
272+53.79 грн
525+44.00 грн
1050+34.26 грн
2025+31.39 грн
5025+27.90 грн
10050+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Current gain: 60
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+58.64 грн
21+46.92 грн
57+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+87.35 грн
525+78.80 грн
1050+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.14 грн
75+44.05 грн
150+39.35 грн
525+30.63 грн
1050+27.91 грн
2025+25.72 грн
5025+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+113.46 грн
10+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G On Semiconductor MJD44H11-D.pdf description NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 375 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
7+124.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
458+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+42.19 грн
150+42.13 грн
525+38.10 грн
1050+33.00 грн
2025+29.65 грн
5025+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 25100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.04 грн
75+53.72 грн
150+53.58 грн
525+43.84 грн
1050+34.13 грн
2025+31.27 грн
5025+27.80 грн
10050+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 24875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+61.26 грн
272+53.79 грн
525+44.00 грн
1050+34.26 грн
2025+31.39 грн
5025+27.90 грн
10050+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Current gain: 60
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+58.64 грн
21+46.92 грн
57+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+87.35 грн
525+78.80 грн
1050+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.14 грн
75+44.05 грн
150+39.35 грн
525+30.63 грн
1050+27.91 грн
2025+25.72 грн
5025+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.46 грн
10+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11-D.pdf
MJD44H11G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 375 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.