Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11G
- TRANSISTOR, NPN, D-PAK
- Transistor Type:Bipolar
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Max Current Ic Continuous a:8A
- Max Voltage Vce Sat:1V
- Power Dissipation:1.75W
- Min Hfe:40
- Typ Gain Bandwidth ft:50MHz
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Application Code:PGP
- Current Ic hFE:4A
- External Depth:10.28mm
- External Length / Height:2.38mm
- External Width:6.73mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:8A
- Max Power Dissipation Ptot:20W
- No. of Transistors:1
- SMD Marking:MJD44H11
- Voltage Vcbo:10V dc
Інші пропозиції MJD44H11G за ціною від 25.89 грн до 124.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 6705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz |
на замовлення 515 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори |
на замовлення 400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJD44H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD44H11G | ON-Semiconductor |
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpakкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 458+ | 30.83 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 40.87 грн |
| 150+ | 40.45 грн |
| 525+ | 36.79 грн |
| 1050+ | 31.86 грн |
| 2025+ | 28.63 грн |
| 5025+ | 26.43 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 168+ | 84.34 грн |
| 525+ | 76.08 грн |
| 1050+ | 69.23 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.99 грн |
| 10+ | 42.92 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.22 грн |
| 75+ | 44.33 грн |
| 150+ | 39.60 грн |
| 525+ | 30.83 грн |
| 1050+ | 28.08 грн |
| 2025+ | 25.89 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.22 грн |
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD44H11G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 48.76 грн |










