Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44H11G
MJD44H11G

MJD44H11G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 118488
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11G

  • TRANSISTOR, NPN, D-PAK
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:1.75W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:50MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Application Code:PGP
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • No. of Transistors:1
  • SMD Marking:MJD44H11
  • Voltage Vcbo:10V dc

Інші пропозиції MJD44H11G за ціною від 24.20 грн до 131.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+39.40 грн
150+39.10 грн
525+35.52 грн
1050+33.55 грн
2025+29.53 грн
5025+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.70 грн
525+42.89 грн
1050+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.92 грн
10+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
75+41.44 грн
150+37.01 грн
525+28.82 грн
1050+26.25 грн
2025+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G On Semiconductor MJD44H11-D.pdf description NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.39 грн
287+49.25 грн
291+48.58 грн
525+39.82 грн
1050+36.04 грн
2025+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.64 грн
75+49.34 грн
150+48.67 грн
525+39.89 грн
1050+36.10 грн
2025+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
456+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+39.40 грн
150+39.10 грн
525+35.52 грн
1050+33.55 грн
2025+29.53 грн
5025+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+51.70 грн
525+42.89 грн
1050+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.92 грн
10+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
75+41.44 грн
150+37.01 грн
525+28.82 грн
1050+26.25 грн
2025+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description MJD44H11-D.pdf
MJD44H11G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+131.39 грн
287+49.25 грн
291+48.58 грн
525+39.82 грн
1050+36.04 грн
2025+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.64 грн
75+49.34 грн
150+48.67 грн
525+39.89 грн
1050+36.10 грн
2025+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.