Продукція > NEXPERIA > MJD44H11J
MJD44H11J

MJD44H11J Nexperia

mjd44h11.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2287+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 2287
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11J Nexperia

Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD44H11J за ціною від 11.77 грн до 61.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.05 грн
5000+13.29 грн
7500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
451+16.73 грн
500+14.52 грн
1000+13.02 грн
2500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
678+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 678
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
на замовлення 10135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+37.90 грн
100+20.97 грн
500+16.63 грн
1000+15.08 грн
2500+12.51 грн
5000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 11987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+36.86 грн
100+23.86 грн
500+17.14 грн
1000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : NEXPERIA mjd44h11.pdf 80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J Виробник : NEXPERIA MJD44H11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J Виробник : NEXPERIA MJD44H11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.