Продукція > NEXPERIA > MJD44H11J
MJD44H11J

MJD44H11J Nexperia

mjd44h11.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
816+43.47 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11J Nexperia

Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD44H11J за ціною від 12.63 грн до 129.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+43.47 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.58 грн
500+34.03 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+70.13 грн
326+43.52 грн
500+32.18 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+51.92 грн
100+28.10 грн
500+19.33 грн
1000+16.29 грн
2500+14.64 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.03 грн
100+32.35 грн
500+23.23 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.67 грн
10+80.54 грн
100+50.58 грн
500+34.03 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NXP MJD44H11.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
816+43.47 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+50.58 грн
500+34.03 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+70.13 грн
326+43.52 грн
500+32.18 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.45 грн
10+51.92 грн
100+28.10 грн
500+19.33 грн
1000+16.29 грн
2500+14.64 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.03 грн
100+32.35 грн
500+23.23 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+129.67 грн
10+80.54 грн
100+50.58 грн
500+34.03 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.