MJD44H11J Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.59 грн |
| 5000+ | 12.88 грн |
| 7500+ | 12.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11J Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD44H11J за ціною від 12.09 грн до 67.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 9340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MJD44H11J | Виробник : NEXPERIA |
80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD44H11J | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Current gain: 40...60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MJD44H11J | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Current gain: 40...60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |