Продукція > NEXPERIA USA INC. > MJD44H11J
MJD44H11J

MJD44H11J Nexperia USA Inc.

MJD44H11.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.02 грн
5000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11J Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD44H11J за ціною від 15.45 грн до 90.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+44.15 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+44.15 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+56.36 грн
367+39.23 грн
500+30.60 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.67 грн
14+56.36 грн
100+39.23 грн
500+29.51 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+79.36 грн
10+57.65 грн
100+31.72 грн
500+23.00 грн
1000+20.04 грн
2500+17.75 грн
5000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.46 грн
10+53.99 грн
100+34.94 грн
500+25.08 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11J NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
816+44.15 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
816+44.15 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
256+56.36 грн
367+39.23 грн
500+30.60 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J mjd44h11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.67 грн
14+56.36 грн
100+39.23 грн
500+29.51 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.36 грн
10+57.65 грн
100+31.72 грн
500+23.00 грн
1000+20.04 грн
2500+17.75 грн
5000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J MJD44H11.pdf
MJD44H11J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.46 грн
10+53.99 грн
100+34.94 грн
500+25.08 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11J NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.