Продукція > DIODES INCORPORATED > MJD44H11Q-13
MJD44H11Q-13

MJD44H11Q-13 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.04 грн
5000+ 19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11Q-13 Diodes Incorporated

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MJD44H11Q-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD44H11Q-13 Виробник : Diodes Incorporated MJD44H11Q-3398329.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товар відсутній