Продукція > ONSEMI > MJD44H11RLG

MJD44H11RLG onsemi


mjd44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+27.41 грн
3600+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11RLG onsemi

Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD44H11RLG за ціною від 31.04 грн до 105.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.46 грн
6+70.77 грн
10+61.12 грн
50+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.22 грн
10+63.69 грн
100+42.27 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11_MJD45H11.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.46 грн
6+70.77 грн
10+61.12 грн
50+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.22 грн
10+63.69 грн
100+42.27 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG MJD44H11-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLG mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.