MJD44H11RLG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 26.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11RLG onsemi
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD44H11RLG за ціною від 20.62 грн до 102.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11RLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11RLG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11RLG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 9584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD44H11RLG | Виробник : On Semiconductor |
NPN, 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |