Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A

MJD44H11T4-A STMicroelectronics

cd00244188.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+48.9 грн
242+ 48.4 грн
287+ 40.81 грн
290+ 38.95 грн
500+ 32.13 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 240
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4-A STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції MJD44H11T4-A за ціною від 22.42 грн до 68.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics cd00244188.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+52 грн
13+ 45.4 грн
25+ 44.95 грн
100+ 36.54 грн
250+ 33.49 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.35 грн
500+ 45.27 грн
1000+ 38.71 грн
2500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.59 грн
14+ 56.47 грн
100+ 52.35 грн
500+ 45.27 грн
1000+ 38.71 грн
2500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.55 грн
10+ 50 грн
100+ 38.9 грн
500+ 30.94 грн
1000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics mjd44h11t4_a-1850142.pdf Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.07 грн
10+ 54.82 грн
100+ 37.12 грн
500+ 31.51 грн
1000+ 25.64 грн
2500+ 24.57 грн
5000+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics cd0024418.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics cd00244188.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics cd0024418.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній