Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A

MJD44H11T4-A STMicroelectronics

cd0024418.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4-A STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD44H11T4-A за ціною від 17.49 грн до 75.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics cd0024418.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics cd0024418.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+22.24 грн
647+21.88 грн
658+21.53 грн
669+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics cd0024418.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.97 грн
34+22.24 грн
100+21.10 грн
250+19.22 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMICROELECTRONICS SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.78 грн
100+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMICROELECTRONICS SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.51 грн
18+47.14 грн
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A MJD44H11T4-A STMicroelectronics en.CD00244188.pdf Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A cd0024418.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A cd0024418.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+22.24 грн
647+21.88 грн
658+21.53 грн
669+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A cd0024418.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+22.97 грн
34+22.24 грн
100+21.10 грн
250+19.22 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MJD44H11T4-A
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.89 грн
10+43.78 грн
100+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A SGSTS34819-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MJD44H11T4-A
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+75.51 грн
18+47.14 грн
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-A en.CD00244188.pdf
MJD44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.