MJD44H11T4 STMicroelectronics
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD44H11T4 за ціною від 15.78 грн до 91.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 16A |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 12078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |