Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD44H11T4
MJD44H11T4

MJD44H11T4 STMicroelectronics

cd0000131.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD44H11T4 за ціною від 17.28 грн до 97.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.93 грн
5000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.47 грн
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.48 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS32416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.82 грн
500+28.53 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.29 грн
10+46.90 грн
43+21.32 грн
117+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.47 грн
10+45.73 грн
100+29.94 грн
500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.14 грн
10+58.44 грн
43+25.58 грн
117+24.18 грн
2500+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS32416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.98 грн
50+57.60 грн
100+38.82 грн
500+28.53 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 16638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.23 грн
10+60.93 грн
25+50.75 грн
100+35.12 грн
250+34.68 грн
500+27.31 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.