Продукція > ONSEMI > MJD44H11T4G
MJD44H11T4G

MJD44H11T4G onsemi

mjd44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.35 грн
5000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 19.81 грн до 93.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+35.30 грн
475+29.82 грн
480+29.52 грн
533+25.59 грн
1000+22.18 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.49 грн
500+27.54 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.59 грн
21+37.27 грн
25+35.30 грн
100+28.76 грн
250+26.36 грн
500+22.75 грн
1000+21.30 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.54 грн
500+42.31 грн
2500+38.71 грн
5000+35.24 грн
7500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
9+49.42 грн
10+43.45 грн
20+37.97 грн
50+31.92 грн
100+28.11 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 57254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.72 грн
10+46.04 грн
100+30.14 грн
500+21.88 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 28951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.48 грн
10+49.03 грн
100+27.97 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.57 грн
283+50.01 грн
374+37.86 грн
500+29.60 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.22 грн
50+58.42 грн
100+38.49 грн
500+27.54 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.92 грн
14+54.25 грн
100+39.76 грн
500+30.50 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
401+35.30 грн
475+29.82 грн
480+29.52 грн
533+25.59 грн
1000+22.18 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.49 грн
500+27.54 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+43.59 грн
21+37.27 грн
25+35.30 грн
100+28.76 грн
250+26.36 грн
500+22.75 грн
1000+21.30 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
234+60.54 грн
500+42.31 грн
2500+38.71 грн
5000+35.24 грн
7500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+67.86 грн
9+49.42 грн
10+43.45 грн
20+37.97 грн
50+31.92 грн
100+28.11 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 57254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.72 грн
10+46.04 грн
100+30.14 грн
500+21.88 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 28951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.48 грн
10+49.03 грн
100+27.97 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
178+79.57 грн
283+50.01 грн
374+37.86 грн
500+29.60 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.22 грн
50+58.42 грн
100+38.49 грн
500+27.54 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.92 грн
14+54.25 грн
100+39.76 грн
500+30.50 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.