Продукція > ONSEMI > MJD44H11T4G
MJD44H11T4G

MJD44H11T4G onsemi

mjd44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.12 грн
5000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 19.97 грн до 94.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 33900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+46.87 грн
540+26.14 грн
2500+25.38 грн
5000+23.95 грн
7500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.48 грн
385+36.72 грн
500+29.78 грн
1000+26.06 грн
2500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.28 грн
9+50.45 грн
10+44.36 грн
20+38.77 грн
50+32.59 грн
100+28.70 грн
500+22.01 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.05 грн
16+48.48 грн
100+36.72 грн
500+28.71 грн
1000+24.13 грн
2500+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.06 грн
285+49.61 грн
377+37.53 грн
500+29.33 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.70 грн
16+50.01 грн
100+37.84 грн
500+29.57 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.79 грн
178+79.39 грн
250+79.00 грн
500+75.80 грн
1000+69.84 грн
3000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 33612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+48.00 грн
100+31.41 грн
500+22.80 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.17 грн
25+79.79 грн
100+76.56 грн
250+70.53 грн
500+67.37 грн
1000+67.04 грн
3000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.48 грн
14+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 21687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 33900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
302+46.87 грн
540+26.14 грн
2500+25.38 грн
5000+23.95 грн
7500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+48.48 грн
385+36.72 грн
500+29.78 грн
1000+26.06 грн
2500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.28 грн
9+50.45 грн
10+44.36 грн
20+38.77 грн
50+32.59 грн
100+28.70 грн
500+22.01 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.05 грн
16+48.48 грн
100+36.72 грн
500+28.71 грн
1000+24.13 грн
2500+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+79.06 грн
285+49.61 грн
377+37.53 грн
500+29.33 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.70 грн
16+50.01 грн
100+37.84 грн
500+29.57 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+79.79 грн
178+79.39 грн
250+79.00 грн
500+75.80 грн
1000+69.84 грн
3000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 33612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.91 грн
10+48.00 грн
100+31.41 грн
500+22.80 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.17 грн
25+79.79 грн
100+76.56 грн
250+70.53 грн
500+67.37 грн
1000+67.04 грн
3000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+94.48 грн
14+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 21687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.