MJD44H11T4G

MJD44H11T4G ON Semiconductor


mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.67 грн
5000+18.00 грн
10000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 15.33 грн до 94.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.01 грн
5000+19.28 грн
10000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.62 грн
5000+18.31 грн
7500+17.52 грн
12500+15.61 грн
17500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.20 грн
5000+23.09 грн
7500+22.72 грн
10000+21.80 грн
25000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.12 грн
500+26.41 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+39.20 грн
360+34.44 грн
364+34.10 грн
500+24.94 грн
1000+18.36 грн
3000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.68 грн
10+42.80 грн
20+36.83 грн
50+30.23 грн
100+26.25 грн
500+19.57 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+74.35 грн
454+27.31 грн
500+27.07 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.86 грн
15+49.58 грн
25+41.99 грн
100+35.58 грн
250+32.62 грн
500+23.75 грн
1000+18.88 грн
3000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 18778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.96 грн
10+48.53 грн
100+31.84 грн
500+23.15 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.21 грн
10+53.33 грн
20+44.20 грн
50+36.27 грн
100+31.50 грн
500+23.48 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 60813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.48 грн
10+47.78 грн
100+29.86 грн
500+22.60 грн
1000+20.39 грн
2500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.67 грн
50+51.66 грн
100+38.12 грн
500+26.41 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+94.92 грн
15+50.31 грн
100+40.31 грн
500+28.52 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.