Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD44H11T4G
MJD44H11T4G

MJD44H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 15.40 грн до 80.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.56 грн
5000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.93 грн
3000+26.53 грн
5000+25.20 грн
8000+23.93 грн
10000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.89 грн
500+25.03 грн
1000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+38.22 грн
402+34.70 грн
407+34.24 грн
500+27.04 грн
1000+20.61 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.70 грн
24+31.74 грн
100+28.05 грн
500+23.70 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
236+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.10 грн
17+44.31 грн
25+38.22 грн
100+33.46 грн
250+30.57 грн
500+24.04 грн
1000+19.79 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.05 грн
9+51.61 грн
11+40.92 грн
20+30.32 грн
50+22.13 грн
100+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 61260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.28 грн
10+46.60 грн
100+30.50 грн
500+22.14 грн
1000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 27578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.06 грн
10+49.15 грн
100+28.17 грн
500+21.72 грн
1000+19.77 грн
2500+16.17 грн
5000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.95 грн
50+46.54 грн
100+34.89 грн
500+25.03 грн
1000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G Виробник : On Semiconductor MJD44H11-D.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.