Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD44H11T4G
MJD44H11T4G

MJD44H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 15.11 грн до 82.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.29 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.32 грн
5000+18.04 грн
7500+17.27 грн
12500+15.39 грн
17500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.77 грн
5000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.89 грн
5000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.07 грн
5000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.72 грн
5000+23.44 грн
7500+23.10 грн
10000+21.94 грн
25000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.53 грн
23+26.40 грн
25+26.14 грн
100+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.40 грн
500+26.83 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.33 грн
10+41.89 грн
46+20.03 грн
50+19.95 грн
124+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.86 грн
50+48.00 грн
100+35.40 грн
500+26.83 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.25 грн
14+45.40 грн
100+34.00 грн
250+31.78 грн
500+22.99 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi MJD44H11_D-1811546.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 37709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.06 грн
10+51.23 грн
25+42.49 грн
100+31.26 грн
250+30.38 грн
500+24.15 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 25686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.39 грн
10+47.78 грн
100+31.37 грн
500+22.81 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.00 грн
10+52.21 грн
46+24.04 грн
50+23.94 грн
124+22.66 грн
2500+22.02 грн
5000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.