MJD44H11T4G

MJD44H11T4G ON Semiconductor


mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 15.89 грн до 83.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.34 грн
5000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.82 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.94 грн
5000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.37 грн
5000+18.98 грн
7500+18.16 грн
12500+16.18 грн
17500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.12 грн
5000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.78 грн
5000+23.50 грн
7500+23.16 грн
10000+21.99 грн
25000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.62 грн
23+26.47 грн
25+26.20 грн
100+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.49 грн
500+26.90 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.50 грн
10+42.00 грн
45+20.00 грн
123+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.04 грн
50+48.11 грн
100+35.49 грн
500+26.90 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.43 грн
14+45.51 грн
100+34.09 грн
250+31.86 грн
500+23.04 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.20 грн
10+52.33 грн
45+24.00 грн
123+22.71 грн
2500+22.07 грн
5000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 69804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.40 грн
10+50.85 грн
100+28.84 грн
500+23.47 грн
1000+21.85 грн
2500+18.61 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 26736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+50.27 грн
100+33.00 грн
500+23.99 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G MJD44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.