 
MJD44H11T4G ON Semiconductor
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 18.67 грн | 
| 5000+ | 18.00 грн | 
| 10000+ | 17.84 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44H11T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MJD44H11T4G за ціною від 15.33 грн до 94.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 252500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 17500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 42500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4196 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4532 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry | на замовлення 1266 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1395 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4532 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 18778 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1266 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN | на замовлення 60813 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4196 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1864 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||
|   | MJD44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності |