Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD45H11-1G
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 99387
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11-1G

  • Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V
  • Transition Frequency Typ, ft:90MHz
  • Power Dissipation, Pd:20W
  • DC Collector Current:-8A
  • DC Current Gain Max (hfe):60

Інші пропозиції MJD45H11-1G за ціною від 22.35 грн до 120.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ONSEMI MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+52.60 грн
25+47.26 грн
75+43.78 грн
150+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
75+47.82 грн
150+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.41 грн
10+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
13+64.71 грн
100+49.17 грн
500+42.00 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+26.07 грн
150+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1950+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1950+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11-1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+67.61 грн
10+52.60 грн
25+47.26 грн
75+43.78 грн
150+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
75+47.82 грн
150+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11-1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.41 грн
10+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD45H11-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
13+64.71 грн
100+49.17 грн
500+42.00 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description MJD44H11-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
75+26.07 грн
150+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.