MJD45H11-1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 119.37 грн |
| 10+ | 85.15 грн |
| 100+ | 52.92 грн |
| 500+ | 46.35 грн |
| 1000+ | 40.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD45H11-1G за ціною від 31.85 грн до 136.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD45H11-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 8039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G Код товару: 99387
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz кількість в упаковці: 75 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
товару немає в наявності |