MJD45H11-1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11-1G onsemi
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD45H11-1G за ціною від 30.63 грн до 127.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-251 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G Код товару: 99387
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
товару немає в наявності |