Продукція > ONSEMI > MJD45H11-1G
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G onsemi

mjd44h11-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11-1G onsemi

Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD45H11-1G за ціною від 32.22 грн до 133.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.77 грн
10+87.57 грн
100+54.43 грн
500+47.67 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : onsemi MJD44H11_D-1811546.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 6384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.93 грн
10+58.79 грн
75+49.36 грн
525+40.49 грн
1050+35.51 грн
1950+32.91 грн
5850+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G
Код товару: 99387
Додати до обраних Обраний товар

mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ON Semiconductor 420892567304467mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0BDA52F5D2469&compId=MJD45H11-001G.PDF?ci_sign=7e3db118e484b0255c6f33884c5dbefad93f334c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0BDA52F5D2469&compId=MJD45H11-001G.PDF?ci_sign=7e3db118e484b0255c6f33884c5dbefad93f334c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.