MJD45H11 ON
Код товару: 31170
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: D-Pak
fT: 40 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 40
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11 ON
- TRANSISTOR, PNP D-PAK
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
- Case Style:TO-252 (D-Pak)
- Current Ic hFE:4A
- External Depth:10.28mm
- External Length / Height:2.38mm
- External Width:6.73mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:8A
- Max Current Ic Continuous a:8A
- Max Power Dissipation Ptot:20W
- Min Hfe:40
- No. of Transistors:1
- SMD Marking:MJD45H11
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Power General Purpose
- Voltage Vcbo:10V dc
Інші пропозиції MJD45H11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD45H11 | Виробник : FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MJD45H11 | Виробник : ONS/FAI |
PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| MJD45H11 | Виробник : Nexperia |
товару немає в наявності |
|||
|
MJD45H11 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
товару немає в наявності |
|
| MJD45H11 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar |
товару немає в наявності |

