Продукція > NEXPERIA USA INC. > MJD45H11AJ
MJD45H11AJ

MJD45H11AJ Nexperia USA Inc.

MJD45H11A.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11AJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD45H11AJ за ціною від 22.63 грн до 141.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11AJ MJD45H11AJ NEXPERIA 3228235.pdf Description: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ MJD45H11AJ Nexperia USA Inc. MJD45H11A.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.67 грн
100+34.83 грн
500+25.08 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ MJD45H11AJ NEXPERIA 3228235.pdf Description: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.44 грн
10+87.79 грн
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ MJD45H11AJ Nexperia MJD45H11A.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ 3228235.pdf
MJD45H11AJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ MJD45H11A.pdf
MJD45H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+53.67 грн
100+34.83 грн
500+25.08 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ 3228235.pdf
MJD45H11AJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.44 грн
10+87.79 грн
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJ MJD45H11A.pdf
MJD45H11AJ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.