Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD45H11G
MJD45H11G

MJD45H11G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+42.95 грн
300+41.81 грн
525+38.09 грн
1050+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 26.71 грн до 112.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+45.12 грн
300+43.32 грн
1050+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
679+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 679
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+46.01 грн
300+44.80 грн
525+40.81 грн
1050+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+51.73 грн
750+47.27 грн
1125+43.98 грн
1500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.06 грн
10+51.92 грн
25+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
10+95.80 грн
100+45.29 грн
500+40.51 грн
1000+34.11 грн
5000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.01 грн
75+46.81 грн
150+41.86 грн
525+32.67 грн
1050+29.80 грн
2025+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.40 грн
10+91.96 грн
75+32.45 грн
525+29.73 грн
1050+27.02 грн
2400+26.94 грн
4800+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
10+64.70 грн
25+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G
Код товару: 154281
Додати до обраних Обраний товар

mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.