Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD45H11G

MJD45H11G ON Semiconductor

Name: MJD45H11G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 20610147-5
Price: 12661.40 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
290+	43.66 грн
300+	42.50 грн
525+	38.72 грн
1050+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 290

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MJD45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 25.87 грн до 118.32 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
276+	45.87 грн
300+	44.04 грн
1050+	41.82 грн

Мінімальне замовлення: 276

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
679+	46.56 грн

Мінімальне замовлення: 679

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
75+	46.78 грн
300+	45.54 грн
525+	41.48 грн
1050+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
241+	52.58 грн
750+	48.05 грн
1125+	44.71 грн
1500+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 241

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ONSEMI

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Kind of package: tube
Current gain: 60
Type of transistor: PNP
Case: DPAK
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 20W
Frequency: 90MHz

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	96.75 грн
10+	53.40 грн
25+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 10337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	103.02 грн
10+	98.54 грн
100+	46.58 грн
500+	41.68 грн
1000+	35.09 грн
5000+	30.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : onsemi

Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 3498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	112.30 грн
75+	47.64 грн
150+	42.60 грн
525+	33.24 грн
1050+	30.32 грн
2025+	27.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 261 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	116.10 грн
10+	66.55 грн
25+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP

на замовлення 4029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	118.32 грн
10+	106.53 грн
75+	32.02 грн
525+	29.31 грн
1050+	27.23 грн
12000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON-Semiconductor

Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 75 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
75+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK

на замовлення 90 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G
Код товару: 154281

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MJD45H11G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.