Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11G
- TRANSISTOR, PNP, D-PAK
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
- Case Style:D-PAK
- Current Ic hFE:4A
- External Depth:10.28mm
- External Length / Height:2.38mm
- External Width:6.73mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:8A
- Max Current Ic Continuous a:8A
- Max Power Dissipation Ptot:20W
- Max Voltage Vce Sat:-1V
- Min Hfe:40
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:1.75W
- SMD Marking:MJD45H11
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Bipolar
- Voltage Vcbo:10V dc
Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 24.99 грн до 115.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD45H11G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Power dissipation: 20W Current gain: 60 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 90MHz Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: tube |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 7909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJD45H11G | ON-Semiconductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MJD45H11G | ON-Semiconductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 368+ | 38.51 грн |
| 376+ | 37.68 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 677+ | 52.24 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.43 грн |
| 10+ | 44.19 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.96 грн |
| 75+ | 42.53 грн |
| 150+ | 38.03 грн |
| 525+ | 29.68 грн |
| 1050+ | 27.07 грн |
| 2025+ | 24.99 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.08 грн |
| 10+ | 46.02 грн |
| 75+ | 30.24 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 115.72 грн |
| 13+ | 66.78 грн |
| 100+ | 35.84 грн |
| 500+ | 32.61 грн |
| 1000+ | 29.48 грн |
| 5000+ | 28.86 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 45.30 грн |
| MJD45H11G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 45.30 грн |








