Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD45H11G
MJD45H11G

MJD45H11G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 16.05 грн до 83.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+57.61 грн
258+ 45.23 грн
525+ 39.41 грн
1050+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 203
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.23 грн
10+ 50.38 грн
21+ 40.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.8 грн
11+ 53.61 грн
75+ 42.08 грн
525+ 35.35 грн
1050+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.38 грн
75+ 54.3 грн
150+ 43.02 грн
525+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.28 грн
10+ 62.79 грн
21+ 48.1 грн
56+ 45.48 грн
750+ 43.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi MJD44H11_D-2315885.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 19461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.6 грн
10+ 61.44 грн
75+ 41.53 грн
525+ 35.23 грн
1050+ 28.65 грн
2400+ 27.01 грн
4800+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+83.31 грн
16+ 46.59 грн
100+ 43.05 грн
500+ 36.69 грн
1000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+18.53 грн
37+ 17.28 грн
100+ 16.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
MJD45H11G Виробник : ONS mjd44h11-d.pdf Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.95 грн
14+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD45H11G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD45H11G
Код товару: 154281 		mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній