Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD45H11G

MJD45H11G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 154281
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11G

  • TRANSISTOR, PNP, D-PAK
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • Max Voltage Vce Sat:-1V
  • Min Hfe:40
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.75W
  • SMD Marking:MJD45H11
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:10V dc

Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 25.17 грн до 116.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+37.91 грн
376+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
677+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.04 грн
10+68.48 грн
25+51.78 грн
75+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.69 грн
75+42.84 грн
150+38.31 грн
525+29.90 грн
1050+27.27 грн
2025+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.18 грн
10+57.69 грн
75+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI mjd44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.56 грн
13+67.27 грн
100+36.10 грн
500+32.85 грн
1000+29.70 грн
5000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : On Semiconductor MJD44H11-D.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Реле RY610024
Код товару: 66872
Додати до обраних Обраний товар
ry610005-datasheet.pdf
Реле RY610024
+1
Виробник: Schrack
Реле
Тип реле: Мініатюрне
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24VDC; Iкомутації: 8A; R котушки 2350 Ohm
Габарити: 28,5x10,1x12,3 mm
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: SPDT(1C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 30 VDC
у наявності: 92 шт
85 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+122.00 грн
10+115.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
2 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 127031 шт
117072 шт - склад
3414 шт - РАДІОМАГ-Київ
1520 шт - РАДІОМАГ-Львів
3960 шт - РАДІОМАГ-Харків
1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+1.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Реле G2RL-2 24VDC
Код товару: 59217
2 Додати до обраних Обраний товар
29ebde306c00176cd853964c7f003bb2.pdf
Реле G2RL-2 24VDC
+1
Виробник: Omron
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20А)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 24В; Iкомутації: 8A; Uнавантаження: 30V
Габарити: 29x12,7x15,7 mm
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 8 A
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 24 VDC
у наявності: 258 шт
219 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+86.00 грн
10+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3,6 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R6-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 51192
Додати до обраних Обраний товар
3,6 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R6-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 3,6 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 3618 шт
3210 шт - склад
160 шт - РАДІОМАГ-Київ
125 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Реле RT314524
Код товару: 46244
Додати до обраних Обраний товар
RT314and424-205089.pdf
Реле RT314524
+1
Виробник: Tyco Electronics
Реле
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24В; Iкомутації: 16А
Габарити: 29х15,7х12,7 mm
Напруга котушки: 24 VAC
Струм макс.: 16 A
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+197.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.