MJD45H11J Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.19 грн |
| 5000+ | 12.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11J Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD45H11J за ціною від 11.29 грн до 41.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 11237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK |
на замовлення 5471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD45H11J | Виробник : NXP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK; TO252 Pulsed collector current: 16A Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK; TO252 Pulsed collector current: 16A Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz |
товар відсутній |