MJD45H11J NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.13 грн |
| 500+ | 20.38 грн |
| 1000+ | 15.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11J NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD45H11J за ціною від 15.60 грн до 67.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 3057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJD45H11J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJD45H11J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| MJD45H11J | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK; TO252 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 16A Frequency: 80MHz |
товару немає в наявності |