MJD45H11RLG ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 27.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11RLG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD45H11RLG за ціною від 24.78 грн до 69.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD45H11RLG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 3487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : ON | 09+ FR4 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJD45H11RLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |