MJD45H11T4 STMicroelectronics
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.79 грн |
| 5000+ | 23.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD45H11T4 за ціною від 16.94 грн до 113.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 Код товару: 89434
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |