Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD45H11T4
MJD45H11T4

MJD45H11T4

en.CD00001311.pdf
Код товару: 89434
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD45H11T4 за ціною від 23.40 грн до 115.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.41 грн
374+37.82 грн
381+37.22 грн
387+35.31 грн
500+32.15 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics MJD44H11_MJD45H11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+44.53 грн
100+30.78 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.21 грн
100+32.40 грн
500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMICROELECTRONICS 2307457.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
14+59.50 грн
100+39.59 грн
500+28.23 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.74 грн
11+72.65 грн
100+47.85 грн
500+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
369+38.41 грн
374+37.82 грн
381+37.22 грн
387+35.31 грн
500+32.15 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD44H11_MJD45H11.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.77 грн
10+44.53 грн
100+30.78 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+49.21 грн
100+32.40 грн
500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 2307457.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.66 грн
14+59.50 грн
100+39.59 грн
500+28.23 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.74 грн
11+72.65 грн
100+47.85 грн
500+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 en.CD00001311.pdf
MJD45H11T4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.