Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD45H11T4
MJD45H11T4

MJD45H11T4 STMicroelectronics

mjd45h11t4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.50 грн
5000+20.87 грн
7500+20.69 грн
10000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MJD45H11T4 за ціною від 18.29 грн до 89.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.10 грн
5000+21.45 грн
7500+21.28 грн
10000+19.96 грн
12500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.81 грн
5000+23.12 грн
7500+22.93 грн
10000+21.51 грн
12500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.39 грн
25+32.06 грн
100+28.16 грн
250+25.66 грн
500+23.74 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+34.88 грн
354+34.53 грн
388+31.45 грн
395+29.84 грн
500+26.63 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307457.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.16 грн
100+38.13 грн
500+27.82 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88989A808E780C4&compId=MJD44H11_MJD45H11.pdf?ci_sign=fb71bb8fb6650233f834d6642921308d7a660fd0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.44 грн
37+30.65 грн
101+27.86 грн
1000+27.68 грн
2500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd44h11t4-2956141.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.38 грн
10+55.92 грн
100+35.39 грн
500+26.56 грн
1000+24.65 грн
2500+21.33 грн
5000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.56 грн
100+35.94 грн
500+26.22 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4
Код товару: 89434
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00001311.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.