Продукція > ONSEMI > MJD45H11T4G
MJD45H11T4G

MJD45H11T4G onsemi

mjd44h11-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.56 грн
5000+19.15 грн
7500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD45H11T4G за ціною від 18.74 грн до 95.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.55 грн
5000+29.11 грн
7500+28.67 грн
10000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.09 грн
5000+28.67 грн
7500+27.45 грн
12500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.45 грн
500+29.19 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.31 грн
10+50.60 грн
100+33.25 грн
500+24.19 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : onsemi MJD44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 27598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.01 грн
10+55.14 грн
100+32.04 грн
500+24.88 грн
1000+22.52 грн
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.53 грн
13+59.62 грн
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI mjd44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.50 грн
50+58.38 грн
100+40.80 грн
500+29.36 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G
Код товару: 118487
Додати до обраних Обраний товар

mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI mjd44h11-d.pdf MJD45H11T4G PNP SMD transistors
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
46+25.68 грн
125+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G Виробник : On Semiconductor mjd44h11-d.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.