Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD45H11T4G
MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 118487
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4G

  • Transistor
  • Transistor Type:Bipolar
  • Tra

Інші пропозиції MJD45H11T4G за ціною від 17.30 грн до 80.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.47 грн
5000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.02 грн
5000+25.43 грн
7500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.02 грн
5000+25.43 грн
7500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.05 грн
10+45.96 грн
20+39.04 грн
50+31.79 грн
100+27.75 грн
200+24.71 грн
500+21.74 грн
1000+20.18 грн
2500+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
10+48.55 грн
100+31.84 грн
500+23.16 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 11901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.47 грн
5000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.02 грн
5000+25.43 грн
7500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.02 грн
5000+25.43 грн
7500+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.05 грн
10+45.96 грн
20+39.04 грн
50+31.79 грн
100+27.75 грн
200+24.71 грн
500+21.74 грн
1000+20.18 грн
2500+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.82 грн
10+48.55 грн
100+31.84 грн
500+23.16 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 11901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.