Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD45H11T4G
MJD45H11T4G

MJD45H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD45H11T4G за ціною від 16.00 грн до 82.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.11 грн
5000+18.75 грн
7500+17.95 грн
12500+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.86 грн
5000+25.33 грн
7500+24.81 грн
10000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.11 грн
500+25.23 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689A1CE419A0745&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=1538b0c2c201261ed34e1be0c33f8833819e943e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.02 грн
11+36.55 грн
45+20.52 грн
124+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689A1CE419A0745&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=1538b0c2c201261ed34e1be0c33f8833819e943e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.03 грн
10+45.55 грн
45+24.62 грн
124+23.30 грн
10000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G
Код товару: 118487
Додати до обраних Обраний товар

mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.64 грн
50+48.93 грн
100+34.11 грн
500+25.23 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+77.15 грн
12+50.80 грн
100+35.68 грн
500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : onsemi MJD44H11_D-1811546.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 31205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.40 грн
10+56.06 грн
25+45.05 грн
100+32.15 грн
500+24.90 грн
1000+22.64 грн
2500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.44 грн
10+49.60 грн
100+32.57 грн
500+23.69 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.