Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD45H11T4G
MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

mjd44h11-d.pdf
Код товару: 118487
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4G

  • Transistor
  • Transistor Type:Bipolar
  • Tra

Інші пропозиції MJD45H11T4G за ціною від 19.08 грн до 84.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.01 грн
5000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.40 грн
10+48.70 грн
20+41.49 грн
50+33.77 грн
100+29.35 грн
200+25.88 грн
500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 98852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.84 грн
10+51.01 грн
100+33.47 грн
500+24.35 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.01 грн
5000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.40 грн
10+48.70 грн
20+41.49 грн
50+33.77 грн
100+29.35 грн
200+25.88 грн
500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 98852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.84 грн
10+51.01 грн
100+33.47 грн
500+24.35 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 19980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.