Технічний опис MJD47G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD47G за ціною від 17.15 грн до 100.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD47G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD47G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD47G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 8521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD47G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD47G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJD47G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJD47G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 35.49 грн |
| MJD47G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 35.89 грн |
| MJD47G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.89 грн |
| 75+ | 42.69 грн |
| 150+ | 38.10 грн |
| 525+ | 29.60 грн |
| 1050+ | 26.94 грн |
| 2025+ | 24.81 грн |
| 5025+ | 22.01 грн |
| MJD47G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD47G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD47G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47
кількість в упаковці: 25 шт
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.15 грн |






