Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD47T4G
MJD47T4G

MJD47T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD47T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD47T4G за ціною від 15.10 грн до 82.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.24 грн
5000+18.84 грн
7500+18.03 грн
12500+16.05 грн
17500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.93 грн
500+23.99 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+45.89 грн
367+33.27 грн
371+32.93 грн
500+25.56 грн
1000+17.47 грн
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+50.85 грн
14+44.20 грн
25+42.61 грн
100+29.79 грн
250+27.31 грн
500+21.10 грн
1000+15.57 грн
3000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.76 грн
50+48.36 грн
100+32.93 грн
500+23.99 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi MJD47_D-1625799.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.12 грн
10+49.32 грн
100+29.21 грн
500+22.95 грн
1000+20.82 грн
2500+16.85 грн
5000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 18077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+50.27 грн
100+32.90 грн
500+23.88 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.