Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD47T4G
MJD47T4G

MJD47T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD47T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD47T4G за ціною від 15.21 грн до 84.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.64 грн
5000+19.20 грн
7500+18.37 грн
12500+16.36 грн
17500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.55 грн
500+24.44 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+46.22 грн
367+33.51 грн
371+33.17 грн
500+25.75 грн
1000+17.59 грн
3000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.22 грн
14+44.52 грн
25+42.92 грн
100+30.00 грн
250+27.50 грн
500+21.25 грн
1000+15.68 грн
3000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.03 грн
50+49.27 грн
100+33.55 грн
500+24.44 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi MJD47_D-1625799.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.44 грн
10+50.25 грн
100+29.76 грн
500+23.38 грн
1000+21.21 грн
2500+17.16 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 18077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.32 грн
10+51.22 грн
100+33.52 грн
500+24.33 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.