Продукція > ONSEMI > MJD47T4G
MJD47T4G

MJD47T4G onsemi

mjd47-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.47 грн
5000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD47T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD47T4G за ціною від 18.81 грн до 76.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.08 грн
367+38.48 грн
371+38.09 грн
500+29.57 грн
1000+20.20 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.34 грн
14+55.06 грн
25+53.08 грн
100+37.10 грн
250+34.01 грн
500+26.28 грн
1000+19.39 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.54 грн
10+46.31 грн
100+30.33 грн
500+22.01 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G onsemi MJD47_D-1625799.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G mjd47-d.pdf
MJD47T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G mjd47-d.pdf
MJD47T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G mjd47-d.pdf
MJD47T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+53.08 грн
367+38.48 грн
371+38.09 грн
500+29.57 грн
1000+20.20 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G mjd47-d.pdf
MJD47T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+63.34 грн
14+55.06 грн
25+53.08 грн
100+37.10 грн
250+34.01 грн
500+26.28 грн
1000+19.39 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G mjd47-d.pdf
MJD47T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.54 грн
10+46.31 грн
100+30.33 грн
500+22.01 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G MJD47_D-1625799.pdf
MJD47T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G 1918750.pdf
MJD47T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4G 1918750.pdf
MJD47T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.