MJD50G ON Semiconductor
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 429+ | 28.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD50G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD50G за ціною від 22.60 грн до 110.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD50G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD50G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD50G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD50G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD50G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 6531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD50G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD50G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |