MJD50G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 32.73 грн |
| 75+ | 26.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD50G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD50G за ціною від 21.76 грн до 99.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD50G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD50G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD50G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD50G | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 6531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD50G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD50G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD50G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 32.90 грн |
| MJD50G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 422+ | 33.50 грн |
| MJD50G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 48.64 грн |
| 525+ | 40.37 грн |
| 1050+ | 34.37 грн |
| MJD50G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.74 грн |
| 75+ | 42.20 грн |
| 150+ | 37.66 грн |
| 525+ | 29.27 грн |
| 1050+ | 26.63 грн |
| 2025+ | 24.52 грн |
| 5025+ | 21.76 грн |
| MJD50G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD50G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






