MJD50RLG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD50RLG onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK, Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 200µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MJD50RLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD50RLG | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 1A 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD50RLG | ON Semiconductor |
1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |