Продукція > ONSEMI > MJD50T4G
MJD50T4G

MJD50T4G onsemi

mjd47-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.14 грн
5000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD50T4G за ціною від 16.14 грн до 76.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.89 грн
500+21.38 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.27 грн
10+38.91 грн
100+23.96 грн
500+19.24 грн
1000+17.41 грн
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.71 грн
50+36.10 грн
100+26.89 грн
500+21.38 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.74 грн
100+29.89 грн
500+21.66 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G 1918750.pdf
MJD50T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.89 грн
500+21.38 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD47_D-2315744.pdf
MJD50T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+54.27 грн
10+38.91 грн
100+23.96 грн
500+19.24 грн
1000+17.41 грн
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G 1918750.pdf
MJD50T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+58.71 грн
50+36.10 грн
100+26.89 грн
500+21.38 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.12 грн
10+45.74 грн
100+29.89 грн
500+21.66 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.