Продукція > ONSEMI > MJD50T4G
MJD50T4G

MJD50T4G onsemi

mjd47-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.28 грн
5000+15.32 грн
7500+14.65 грн
12500+13.03 грн
17500+12.62 грн
25000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD50T4G за ціною від 15.67 грн до 68.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 26450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.34 грн
500+22.32 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+37.08 грн
444+28.91 грн
448+28.62 грн
528+23.44 грн
1000+18.08 грн
3000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.06 грн
25+39.73 грн
100+29.87 грн
250+27.38 грн
500+22.32 грн
1000+18.59 грн
3000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.70 грн
10+37.78 грн
100+23.27 грн
500+18.68 грн
1000+16.91 грн
2500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI mjd47-d.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.51 грн
50+44.56 грн
100+30.34 грн
500+22.32 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 31991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.53 грн
10+41.08 грн
100+26.86 грн
500+19.47 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G Виробник : Welwyn Components / TT Electronics mjd47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.