Продукція > ONSEMI > MJD50T4G
MJD50T4G

MJD50T4G onsemi

mjd47-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 15800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.20 грн
5000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD50T4G за ціною від 16.78 грн до 78.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+41.91 грн
444+32.68 грн
448+32.35 грн
528+26.49 грн
1000+20.43 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.26 грн
25+41.91 грн
100+31.51 грн
250+28.89 грн
500+23.55 грн
1000+19.62 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI MJD50T4G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
Current gain: 30...150
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.77 грн
11+40.86 грн
12+35.63 грн
20+30.81 грн
50+25.66 грн
100+22.92 грн
200+20.93 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.30 грн
10+45.67 грн
100+29.86 грн
500+21.64 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G onsemi mjd47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 13110 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.31 грн
10+48.75 грн
100+28.34 грн
500+22.15 грн
1000+20.09 грн
2500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
346+41.91 грн
444+32.68 грн
448+32.35 грн
528+26.49 грн
1000+20.43 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+42.26 грн
25+41.91 грн
100+31.51 грн
250+28.89 грн
500+23.55 грн
1000+19.62 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G.PDF
MJD50T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
Current gain: 30...150
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.77 грн
11+40.86 грн
12+35.63 грн
20+30.81 грн
50+25.66 грн
100+22.92 грн
200+20.93 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.30 грн
10+45.67 грн
100+29.86 грн
500+21.64 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G mjd47-d.pdf
MJD50T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 13110 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.31 грн
10+48.75 грн
100+28.34 грн
500+22.15 грн
1000+20.09 грн
2500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G 1918750.pdf
MJD50T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G 1918750.pdf
MJD50T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.