Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD50T4G
MJD50T4G

MJD50T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD50T4G за ціною від 14.69 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299393-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.12 грн
5000+17.84 грн
7500+17.05 грн
12500+15.18 грн
17500+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.97 грн
500+22.17 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.96 грн
25+32.69 грн
100+24.58 грн
250+22.53 грн
500+18.37 грн
1000+15.30 грн
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+35.21 грн
444+27.45 грн
448+27.18 грн
528+22.25 грн
1000+17.16 грн
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.48 грн
50+43.06 грн
100+29.97 грн
500+22.17 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.51 грн
10+40.51 грн
100+24.95 грн
500+20.04 грн
1000+18.13 грн
2500+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 24842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.39 грн
10+47.78 грн
100+31.28 грн
500+22.67 грн
1000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G Виробник : ONSEMI mjd47-d.pdf MJD50T4G NPN SMD transistors
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.51 грн
44+24.59 грн
121+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G Виробник : Welwyn Components / TT Electronics mjd47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.