Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD50T4G
MJD50T4G

MJD50T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD50T4G за ціною від 13.47 грн до 73.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.45 грн
5000+16.36 грн
7500+15.64 грн
12500+13.92 грн
17500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 26450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.09 грн
500+23.60 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+35.29 грн
444+27.52 грн
448+27.24 грн
528+22.31 грн
1000+17.20 грн
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.13 грн
25+37.81 грн
100+28.43 грн
250+26.06 грн
500+21.24 грн
1000+17.70 грн
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.96 грн
10+41.55 грн
100+25.59 грн
500+20.55 грн
1000+18.59 грн
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E2118D65A88259&compId=MJD50T4G.PDF?ci_sign=f16784f1986cea5351483b5009c1e0c05352cc66 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 30...150
Frequency: 10MHz
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.65 грн
10+42.50 грн
25+34.97 грн
44+21.02 грн
121+19.84 грн
500+19.68 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 26450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.46 грн
50+47.12 грн
100+32.09 грн
500+23.60 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 41177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.47 грн
10+43.83 грн
100+28.68 грн
500+20.79 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E2118D65A88259&compId=MJD50T4G.PDF?ci_sign=f16784f1986cea5351483b5009c1e0c05352cc66 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 30...150
Frequency: 10MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.98 грн
10+52.96 грн
25+41.97 грн
44+25.22 грн
121+23.81 грн
500+23.62 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G MJD50T4G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50T4G Виробник : Welwyn Components / TT Electronics mjd47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.